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合肥研究院發(fā)現(xiàn)二氧化鈦單晶納米片晶面上氧空穴協(xié)同的電化學(xué)催化行為

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合肥研究院發(fā)現(xiàn)二氧化鈦單晶納米片晶面上氧空穴協(xié)同的電化學(xué)催化行為

摘要:   納米TiO2是一種典型的n型半導(dǎo)體材料,由于其本征態(tài)表面不足與目標(biāo)分子相互作用的活性位點(diǎn)以及較差的導(dǎo)電性,從而表現(xiàn)出較差的電化學(xué)活性。近期,在前期晶面電分析化學(xué)學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)上,中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)學(xué)習(xí) ...

  納米TiO2是一種典型的n型半導(dǎo)體材料,由于其本征態(tài)表面不足與目標(biāo)分子相互作用的活性位點(diǎn)以及較差的導(dǎo)電性,從而表現(xiàn)出較差的電化學(xué)活性。近期,在前期晶面電分析化學(xué)學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)上,中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)學(xué)習(xí)院智能機(jī)械學(xué)習(xí)所黃行九課題組通過(guò)在TiO2表面摻雜氧空穴,發(fā)現(xiàn)了二氧化鈦單晶納米片(001)晶面上氧空穴協(xié)同的電化學(xué)催化行為,且該二氧化鈦單晶納米片(001)在重金屬離子的檢測(cè)過(guò)程中表現(xiàn)出較高的電化學(xué)檢測(cè)活性;同時(shí),課題組借助于XAFS(X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu))光譜技術(shù),揭示了其協(xié)同的電化學(xué)催化行為機(jī)制。相關(guān)成果已發(fā)表于美國(guó)化學(xué)會(huì)分析化學(xué)(Anal. Chem.2017. DOI: 10.1021/acs.analchem.6b04023)。
  TiO2晶體的(001)晶面因其具有100%未飽和5配位Ti原子而被普遍認(rèn)為是高能活性晶面,并且已被理論與實(shí)驗(yàn)所證明。學(xué)習(xí)人員在此理論基礎(chǔ)上制備了高比例的(001)晶面暴露的TiO2納米片,并且通過(guò)X射線光電子能譜、拉曼和X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)等多種手段綜合證明了還原性的Ti3+與氧空穴被成功地引入到其表面原子層中。在水環(huán)境中重金屬離子電化學(xué)行為分析中發(fā)現(xiàn),重金屬離子如Hg(II)在TiO2納米片表面表現(xiàn)出較高的靈敏度,并且其靈敏度變化規(guī)律與材料表面Ti3+與氧空穴的濃度變化完全一致。此外,學(xué)習(xí)人員發(fā)現(xiàn)表面Ti3+與氧空穴能夠調(diào)制材料表面電子結(jié)構(gòu)及對(duì)Hg(II)的吸附性能,使其表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性及較強(qiáng)的吸附性能。通過(guò)上海同步輻射裝置(BL14W1線站),學(xué)習(xí)人員利用XAFS光譜證明了材料表面氧空穴吸附O2分子,同時(shí)還原性的Ti3+傳遞一個(gè)電子到吸附的氧上,形成超氧自由基,其能夠作為Hg(II)的吸附活性位點(diǎn)和作為氧化還原反應(yīng)中電子傳輸?shù)幕钚晕稽c(diǎn),對(duì)電化學(xué)檢測(cè)信號(hào)起到增強(qiáng)作用。
  該工作不僅證實(shí)了能夠通過(guò)表面電子結(jié)構(gòu)調(diào)制的概念將本征半導(dǎo)體納米材料的應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展到電化學(xué)傳感分析,也為將來(lái)在原子尺度上探索電化學(xué)敏感行為機(jī)制提供了一個(gè)新的機(jī)遇。該學(xué)習(xí)工作得到了中科院創(chuàng)新交叉團(tuán)隊(duì)、國(guó)家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目及上海同步輻射裝置(BL14W1線站)的支持。
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  圖:a)四種表面缺陷狀態(tài)不同的TiO2樣品透射電鏡圖;b)基于高分辨透射電鏡結(jié)構(gòu)分析表明缺陷態(tài)的表面;c)氧空穴參與并催化電化學(xué)檢測(cè)過(guò)程;d)ESR譜證明Ti3+與氧空穴的存在;e)Hg(II)吸附缺陷態(tài)(T-1)與不含缺陷態(tài)(T-3)樣品表面的傅里葉變換的EXAFS譜圖。合肥研究院發(fā)現(xiàn)二氧化鈦單晶納米片晶面上氧空穴協(xié)同的電化學(xué)催化行為  |  責(zé)任編輯:曉木蟲(chóng)
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